参数	值
产品	未分类
型号编码	CSD17577Q3ATn:
说明	未分类   8-VSONP(3x3.15) 8-PowerVDFN
起订量	250
最小包	250
现货	894 [库存更新时间：2025-04-05]
Ciss - 输入电容	1.78 nF
连续漏极电流Id	83 A
公司名称	NexFET
FET类型	N-Channel
最低工作温度	- 40 C
最高工作温度	+ 85 C
Pd - 功率消耗	53 W
标准断开延迟时间	20 ns
系列	CSD17577Q3A
配置	Single
Qg - 闸极充电	27 nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.8 m0hms
漏源极电压Vds	30 V
栅极电压Vgs	20V
栅极电压Vgs	1.4 V
上升时间	31 ns
下降时间	4 ns
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	35A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2310pF @ 15V
功率	2.8W(Ta),53W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.8 毫欧 @ 16A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-VSONP(3x3.15)
封装/外壳	8-PowerVDFN